根据《华中科技大学科技成果转化管理办法》规定，对我院杜会芸老师团队的“一种灵活电刺激并记录多脑区多深度阵列电极”成果转化相关事项公示如下：

一、成果名称及简介

成果包含1项知识产权：

（1）发明专利：一种灵活电刺激并记录多脑区多深度阵列电极专利

发明人：杜会芸，景伟，蒋敬睿，胡悦涵，吴世平，朱梦铮，成龙，鲁友明

专利号：ZL202310028685.X

专利权人：华中科技大学

简介：本发明属于生物、医疗设备领域，具体公开了一种灵活电刺激并记录多脑区多深度阵列电极，包括电路板和多组电极微丝束，这些由不同长度的电极微丝组成的微丝束竖直分布在电路板上，微丝束的自由端用于插入不同深度和位置的目标脑区，在同一脑区设置不同记录深度，从而对多目标脑区进行同步电刺激和电信号记录。本发明通过对多脑区阵列电极的细节组件及结构进行改进，利用特定的电路板及电极微丝设置，将多个电极微丝置于同一个电路板上，制作成为体积小，重量轻的多脑区阵列电极，只需进行一次插入操作，便可以植入多个脑区，操作简便，能够在小鼠等小动物上实现多脑区多深度同步电刺激和电记录，并能够根据实验需求，任意设计记录和刺激的脑区。

二、拟交易价格

普通许可：5万元。

三、价格形成过程

经全体发明人同意，并与重庆厚德载福科技有限公司协商，双方同意以5万元实施普通许可，许可期限为5年。

特此公示，公示期15日，自2026年4月22日起至2026年5月6日。如有异议，请于公示期内以书面形式实名向我院反映。

联系人：尹老师、吴老师

联系电话：83692477

基础医学院

2026年4月22日